TSMC na podujatí 2026 North America Technology Symposium predstavilo viacero nových technológií. K najzaujímavejším patrí výrobný proces A13, ktorý nadväzuje na A14 a sľubuje zlepšenia vo viacerých oblastiach.
A13 je priamym nástupcom A14 a predstavuje jeho zmenšenú verziu. Podľa výrobcu prinesie 6 % úsporu plochy, takže návrh čipu vyrobený procesom A13 zaberie o toľko menej miesta než pri použití A14. Z hľadiska návrhových pravidiel je A13 plne spätne kompatibilný s predchádzajúcou generáciou procesu a vďaka optimalizáciám prinesie aj zlepšenia výkonu a spotreby. TSMC plánuje spustiť sériovú výrobu na procese A13 v priebehu roka 2029, približne rok po nábehu A14.
Popri A13 už vzniká aj A12, ktorého najväčšou novinkou bude napájanie zo zadnej strany čipu s názvom Super Power Rail. Napájacie napätie potrebné na fungovanie tranzistorov sa tak bude privádzať zo zadnej strany čipu, zatiaľ čo signály sa budú prenášať cez jeho „prednú stranu“. Intel tento prístup používa už od procesu 18A. A12 bude predstavovať plnohodnotnú novú generáciu výrobného procesu so všetkými výhodami, ktoré to prináša.
Ďalšou pozoruhodnou novinkou medzi výrobnými procesmi bude N2U, ktorý rozšíri rodinu procesov 2 nm triedy a predstavuje zdokonalenú verziu N2P. V porovnaní s N2P môže N2U pri rovnakej spotrebe a rovnako zložitom návrhu ponúknuť o 3 až 4 % vyšší výkon. Alternatívne s ním bude možné dosiahnuť rovnaký výkon pri spotrebe nižšej o 8 až 10 %. Nový výrobný proces prinesie len minimálne zvýšenie hustoty tranzistorov na 1,02- až 1,03-násobok pôvodnej hodnoty, aj to však môže predstavovať určitú výhodu. Sériová výroba by sa podľa plánov mohla začať už v priebehu roka 2028.
TSMC sa venovalo aj vývoju technológií puzdrenia. Uviedlo, že v súčasnosti dokáže vyrábať čipy CoWoS s plochou zodpovedajúcou 5,5-násobku plochy jednej fotomasky, teda veľkosti 5,5 reticle. V priebehu roka 2028 však bude možné vyrábať aj riešenia s veľkosťou 14 reticle. Jeden čip tak bude môcť obsahovať celkovo 10 veľkých výpočtových čipletov a 20 stohov pamätí HBM, čo môže priniesť výrazný nárast výkonu.
Už v priebehu roka 2029 môže spoločnosť túto úroveň prekonať príchodom platformy SoW-X s veľkosťou 40 reticle, ktorá otvorí nové možnosti. Zároveň bude možné vrstviť čipy vyrobené procesom A14 pomocou technológie SoIC (A14-on-A14 SoIC), a to s pôsobivým zlepšením: oproti čipom N2-on-N2 SoIC bude hustota vstupno-výstupných prepojení 1,8-násobná, čo výrazne zvýši dostupnú priepustnosť dátovej komunikácie.
V priebehu roka 2028 spoločnosť spustí aj sériovú výrobu na svojom prvom procese s technológiou NanoSheet, ktorý bude spĺňať požiadavky automobilového priemyslu. V porovnaní s procesom N3A prinesie pri rovnakej spotrebe o 15 až 20 % vyššiu rýchlosť, čo môže vývojárom riešení pre automobilový priemysel otvoriť množstvo nových možností.
Spoločnosť tiež oznámila, že sa chce presadiť na trhu radičov displejov, pre ktorý pripravuje výrobný proces N16HV. Jeho nasadzovanie sa môže začať ešte v roku 2026. Zároveň vyšlo najavo, že taiwanský zmluvný výrobca polovodičov zatiaľ neplánuje používať litografické skenery High-NA. Jeho inžinieri totiž stále nachádzajú spôsoby, ako zdokonaľovať výrobné procesy aj bez nich. TSMC sa preto bude držať osvedčených metód, zatiaľ čo konkurenti začnú nasadzovať EUV skenery High-NA už približne v rokoch 2027 až 2028.
