SK hynix dosiahol ďalší významný míľnik: partnerom začal dodávať prvé vzorky pamätí HBM4E novej generácie v konfigurácii 12-Hi. Novinka pozostávajúca z 12 čipov DRAM bude kľúčová pre efektívne fungovanie novej generácie akcelerátorov AI. Oproti predchodcom totiž prináša nielen vyššiu kapacitu, ale aj väčšiu prenosovú rýchlosť, ktorá umožňuje dosiahnuť vyššiu pamäťovú priepustnosť. Zároveň zlepšuje energetickú účinnosť.
Pamäť HBM4E od SK hynix s kapacitou 48 GB je výnimočná aj tým, že výrobcovia pamätí ešte v roku 2025 plánovali dosiahnuť v konfigurácii 12-Hi kapacitu 32 GB, zatiaľ čo pri 48 GB počítali so 16 vrstvami. SK hynix však dokáže ponúknuť 48 GB už s 12 vrstvami čipov DRAM, čo znamená, že jednotlivé čipy majú vyššiu hustotu dát. Ďalšou dobrou správou je, že novšie rozhranie a optimalizácie pri tejto novinke založenej na HBM4E umožnili znížiť latenciu prenosu dát, ktorá je takisto mimoriadne dôležitá.
Významným krokom vpred je aj zvýšenie prenosovej rýchlosti na jeden kontakt na 16 Gb/s. Výrobca však neuviedol, akú presnú priepustnosť ponúkne jeden takýto pamäťový celok. Známe je, že čipy DRAM, na ktorých HBM4E stavia, sa môžu vyrábať šiestou generáciou 10 nm výrobného procesu spoločnosti (1c). Ten umožňuje na rovnakej ploche čipu dosiahnuť vyššiu hustotu pamäťových buniek, a tým zvýšiť kapacitu aj energetickú účinnosť. V energetickej účinnosti prináša novinka oproti predchádzajúcej generácii zlepšenie o viac než 20 %, čo má na trhu akcelerátorov AI veľký význam.
Dôležitú úlohu zohráva aj technológia puzdrenia Advanced MR-MUF. Medzi jednotlivé čipy DRAM ukladá ochranný materiál, ktorý spevňuje celú vrstvenú štruktúru. Okrem mechanickej stability zlepšuje aj účinnosť prenosu tepla. Podľa SK hynix sa v prenose tepla podarilo dosiahnuť 17 % zlepšenie oproti riešeniam predchádzajúcej generácie. Pamäťový subsystém a s ním aj výkonné akcelerátory AI tak môžu fungovať stabilnejšie a dlhšie si udržať špičkový výkon.
SK hynix zatiaľ nespresnil, kedy sa začne sériová výroba pamätí HBM4E s 12 vrstvami. Podľa informácií ZDNetu by sa však pri priaznivom priebehu mohla spustiť už v prvej polovici roka 2027. Spoločnosť medzitým vyvíja aj siedmu generáciu výrobného procesu triedy 10 nm, ktorá bude kľúčová pre ďalšie zvyšovanie výkonu a energetickej účinnosti pamätí generácie HBM 5.
