Samsung nedávno dosiahol mimoriadne významný míľnik, informuje ET News. Juhokórejskej spoločnosti sa podľa neho podarilo vytvoriť prvý pamäťový čip 3D V-NAND flash s 900 aktívnymi vrstvami pamäťových buniek, čo predstavuje výrazný pokrok vo viacerých smeroch. S 900 aktívnymi vrstvami ide o prvenstvo v odvetví. Medzi sériovo vyrábanými čipmi 3D NAND flash totiž momentálne drží rekord riešenie spoločnosti SK hynix s 321 aktívnymi vrstvami. Treba však dodať, že nový čip Samsungu sa ešte sériovo nevyrába.
Juhokórejská spoločnosť si už skôr stanovila cieľ uviesť do roku 2030 na trh pamäťové čipy 3D V-NAND flash s 1.000 aktívnymi vrstvami pamäťových buniek. Spočiatku sa tento plán mohol zdať mimoriadne ambiciózny, vďaka najnovšiemu pokroku je však jeho splnenie takmer na dosah. Spomínaných 900 aktívnych vrstiev, samozrejme, netvorí jeden monolitický čip, pretože pri súčasnej úrovni technológií by jeho výroba bola príliš zložitá na to, aby sa dala uskutočniť. Samsung namiesto toho využil technológiu hybridného spájania, konkrétne vlastný postup Cell Multi-Bonding (CMB). Ten umožňuje uložiť na seba dva pamäťové čipy 3D V-NAND, každý so 450 aktívnymi vrstvami pamäťových buniek, a vytvoriť tak riešenie s 900 aktívnymi vrstvami.
Jednotlivé kremíkové čipy sa dajú navzájom „zlepiť“ pomocou zabudovaných kovových kontaktov. Práve cez ne medzi oboma čipmi vzniká trvalé spojenie, technická realizácia však zďaleka nie je taká jednoduchá. Keďže kremíkové čipy majú sklon k deformácii, bolo potrebné vyvinúť metódu, ktorá zaručí dokonale presné a bezchybné spojenie. Na tento účel vznikli mikroskopické upínacie prvky, ktoré držia čipy v správnej polohe, kým sa medzi nimi nevytvorí požadované spojenie. Táto metóda zároveň umožňuje odstrániť chyby pri vzájomnom zarovnávaní.
Presný typ drobných „upínačov“, ktoré Samsung použil, nebol zverejnený. Ak ide o elektrostatické riešenie, v pozadí môže byť technológia Coulumbic E-Chuck alebo Johnsen-Rahbek E-Chuck. Samsung súčasne upravil aj vnútornú štruktúru NAND. Vytvoril napríklad novú architektúru bitových a slovných vedení, aby rozmery čipov zostali prijateľné a ich spotreba pod kontrolou.
Zatiaľ nie je známe, kedy presne by sa mohla začať sériová výroba pamäťových čipov 3D V-NAND flash s 900 aktívnymi vrstvami pamäťových buniek. Dúfajme však, že spoločnosť čoskoro oficiálne prezradí ďalšie podrobnosti o tomto míľniku. Medzitým Samsung pracuje na spustení sériovej výroby pamäťových čipov V-NAND flash 10. generácie, vďaka ktorým by sa do ponuky mohli dostať čipy s viac než 400 aktívnymi vrstvami pamäťových buniek. Neskôr by mohlo nasledovať aj uvedenie spomínaného riešenia s 900 aktívnymi vrstvami.
