Samsung už na podujatí FMS 2026 poodhalil pamäťové technológie novej generácie, ktoré pripravuje na nie príliš vzdialenú budúcnosť. Zameriavajú sa predovšetkým na dátové centrá pre AI a akcelerátory AI, no reč prišla aj na čipy V-NAND Flash 10. generácie, ktoré sa predstavia pod názvom BV-NAND.
Spoločnosť predstavila dva zaujímavé koncepty, zHBM a zNAND-O, ktorých cieľom je zvýšiť výkon akcelerátorov AI aj systémov, ktoré ich obsluhujú.
zHBM bude špeciálnym riešením, pri ktorom pamäť nebude umiestnená tesne vedľa čipu akcelerátora AI na spoločnej prepojovacej podložke, takzvanom interposeri. Namiesto toho bude integrovaná vertikálne priamo nad akcelerátorom. Toto usporiadanie pomáha znižovať latenciu, pretože pamäť je bližšie k akcelerátoru AI a dáta musia prekonať kratšiu vzdialenosť. Pri vývoji finálnej podoby konceptu sa zároveň kladie veľký dôraz na zvýšenie prenosovej rýchlosti a energetickej efektivity.
Ak všetko pôjde podľa plánov, zHBM môže oproti pripravovanej generácii HBM5 ponúknuť viac než desaťnásobnú pamäťovú hustotu, trojnásobnú energetickú efektivitu a o viac než polovicu nižší tepelný odpor. Nová technológia umožní maximalizovať stabilitu systémov s veľkou kapacitou a vysokou priepustnosťou pamäte, čo je mimoriadne dôležité. zHBM zákazníkom umožní aj integráciu vlastných logických obvodov do medziľahlej čipovej vrstvy medzi stohom pamäťových čipov a akcelerátorom AI. Otvorí tak ďalšie možnosti zvyšovania výkonu a/alebo kapacity pamäte.
Aj zNAND-O sa javí ako významný koncept, ktorý vychádza z právom uznávanej technológie V-NAND od Samsungu. Pri zNAND-O sa na seba ukladajú štyri alebo osem vrstiev čipov V-NAND. Toto riešenie umožňuje dosiahnuť vysoký výkon vstupno-výstupných operácií a nízku latenciu pri efektívnom využití dostupného priestoru. Technológia je určená predovšetkým pre systémy na okraji siete a má im pomôcť efektívne spracúvať dáta vznikajúce v reálnom čase, niekedy aj v mimoriadne veľkých objemoch, s využitím možností umelej inteligencie.
Treťou pamäťovou technológiou novej generácie je 3D V-NAND 10. generácie s názvom BV-NAND. Toto riešenie s viac než 400 vrstvami pamäťových buniek prináša oproti predchádzajúcim generáciám vyšší výkon pri zápise aj čítaní a zvyšuje tiež rýchlosť vstupno-výstupného rozhrania. Technológia založená na TLC NAND Flash ponúka kapacitu 28 Gb na štvorcový milimeter. To je síce o niečo menej než pri pamäti BiCS10 NAND Flash, ktorú vyvinuli Kioxia a SanDisk, no na druhej strane dosahuje podstatne vyššiu prenosovú rýchlosť rozhrania: namiesto 4.800 MT/s zvláda až 5.600 MT/s.
Konkrétne informácie o očakávanom príchode zHBM a zNAND-O zatiaľ nie sú k dispozícii. Je však veľmi pravdepodobné, že kým sa dostanú do reálnych produktov, budú potrebovať ešte niekoľko rokov vývoja. Stohy pamäťových čipov HBM4e môžu doraziť podstatne skôr. Ich prvé vzorky spoločnosť dodáva vybraným partnerom už od mája. Medzi technológie s bližším uvedením patrí aj LPDDR5X-PIM, ktorá vďaka vyhradenému akcelerátoru dokáže vykonávať niektoré základné výpočty priamo v pamäti. Pomáha tým zvyšovať výkon akcelerátora AI, keďže jeho čip môže dostávať už predspracované dáta. Zároveň sa zlepšuje energetická efektivita systému aj efektivita presunu dát. Termín oficiálneho uvedenia LPDDR5X-PIM zatiaľ nie je známy, technológia však môže doraziť skôr než spomínané zHBM a zNAND-O.
