Samsung môže v roku 2027 výrazne rozšíriť svoje výrobné kapacity. Naznačujú to najnovšie informácie z odvetvia, ktoré nedávno získala redakcia SE Daily. Podľa nich už Samsung začal zvyšovať objednávky materiálov, aby dokázal zásobovať rozšírenú výrobu, zabezpečiť jej stabilný chod a dosiahnuť vytúženú cieľovú kapacitu. V roku 2026 dosahuje výrobná kapacita HBM4 a HBM4E približne 20 000 kremíkových doštičiek mesačne. V roku 2027 by mohla vzrásť približne na 50 000 doštičiek, čo by pri úplnom naplnení plánu predstavovalo výrazný posun.
Odhady výrobnej kapacity pritom vznikli pomerne vynaliezavým spôsobom: na základe počtu sklenených nosných podložiek. Čipy DRAM potrebné na výrobu vrstvených pamätí HBM4 a HBM4E sú totiž pred začiatkom puzdrenia ešte súčasťou kremíkových doštičiek. Tie sa kvôli stabilizácii ukladajú na sklenené podložky, ktoré zabraňujú ich deformácii a poškodeniu. Na začiatku puzdrenia sa kremíkové doštičky oddelia od sklenenej nosnej podložky a presunú sa do výrobného zariadenia, ktoré vykonáva prvý krok procesu. Po niekoľkých ďalších výrobných krokoch získajú konečnú podobu vrstvených pamäťových čipov.
Pohľad na celkovú výrobnú kapacitu pamätí HBM spoločnosti Samsung, ktorá okrem HBM4 a HBM4E zahŕňa aj HBM3 a HBM3E, prináša zaujímavý obraz. Objem výroby HBM by sa v roku 2027 mohol zvýšiť takmer o 40 %. Kým v roku 2026 dosahoval v priemere 180 000 kremíkových doštičiek mesačne, cieľom na rok 2027 môže byť už 250 000 doštičiek. Výroba série HBM4 tvorila v roku 2026 celkovo 40 % výrobnej kapacity HBM, no v roku 2027 by tento podiel mohol dosiahnuť až 80 %.
Samotné pamäte HBM4 sa sériovo vyrábajú od februára 2026, a to pomocou šiestej generácie výrobného procesu Samsungu v 10 nm triede, ktorý nesie označenie 1c. Medzitým sa začala aj výroba vzoriek HBM4E, ktoré sa k vybraným partnerom dostali približne v polovici roka 2026. Ak má segment akcelerátorov AI udržať tempo vývoja, potrebuje čoraz väčšiu kapacitu pamäte a vyššiu pamäťovú priepustnosť. Výrobu vrstvených pamätí HBM4 a HBM4E je preto nevyhnutné zvyšovať, aby bolo možné účinne uspokojovať potreby zákazníkov na trhu.
Vrstvené pamäte HBM4 a HBM4E nevyžadujú len čipy DRAM, ktoré sa ukladajú na seba v konfiguráciách 8-Hi, 12-Hi alebo 16-Hi. Potrebný je aj základný čip, ktorý zabezpečuje spojenie medzi pamäťovými vrstvami a vývodmi puzdra. Samsung tento čip vyrába procesom SF4 v 4 nm triede, a to vo veľmi veľkých objemoch: na tento účel vyčleňuje približne polovicu celkovej výrobnej kapacity SF4.
Samsung sa snaží získavať zákazníkov zvyšovaním výroby a modernou ponukou. Podľa všetkého sa mu to darí veľmi dobre, pričom svoju úlohu zrejme zohrávajú aj obmedzené výrobné kapacity počas pamäťovej krízy. Kým v druhom štvrťroku 2025 mal Samsung v segmente HBM približne 15 % podiel na trhu, o rok neskôr, v druhom štvrťroku 2026, to bolo už 33 %. Svoj trhový podiel tak viac než zdvojnásobil. Vďaka ďalšiemu rozširovaniu výrobných kapacít a konkurencieschopnej ponuke bude úspešné ťaženie Samsungu zrejme pokračovať a výrobca si časom môže ukrajovať čoraz väčší podiel z trhu s pamäťami HBM.
