Samsung ako prvý v odvetví začal dodávať vzorky pamätí HBM4E

Vrstvené pamäťové čipy HBM4E prinášajú oproti HBM4 výrazný pokrok vo viacerých oblastiach. Pomôžu tak efektívnejšie uspokojiť nároky novej generácie akcelerátorov AI na priepustnosť pamäte.
J.o.k.e.r
J.o.k.e.r
1. 6. 2026, 8:48
Samsung ako prvý v odvetví začal dodávať vzorky pamätí HBM4E

Samsung Electronics dosiahol významný míľnik vo vývoji vrstvených pamäťových čipov HBM pre akcelerátory AI. Ako prvý v odvetví začal partnerom so záujmom o tieto pamäte dodávať prvé vzorky najnovších čipov štandardu HBM4E. Spoločnosť už predtým získala prvenstvo v spustení sériovej výroby a dodávok pamätí HBM4 v komerčných objemoch. Ďalším prvenstvom si teraz chce upevniť pozíciu v segmente HBM.

Otvorenie galérie

Pamäťové čipy Samsungu štandardu HBM4E ponúkajú prenosovú rýchlosť 14 Gbps na jeden kontakt, ktorú možno zvýšiť až na 16 Gbps. Majú tak pomôcť uspokojiť rastúci dopyt po priepustnosti v segmente AI a umožniť efektívnejšie a rýchlejšie spracovanie jednotlivých úloh. Oproti pamätiam HBM4 ide v tomto smere o zlepšenie o viac než 20 %, pričom priepustnosť jedného čipu môže dosiahnuť až 3,6 TB/s.

Aktuálne vyhotovenie obsahuje 12 pamäťových čipov HBM uložených nad sebou, teda konfiguráciu 12-Hi, a má kapacitu 48 GB. To predstavuje nárast o viac než 30 % oproti najvyššiemu modelu predchádzajúcej generácie. Samsung zároveň pracuje na ďalšom rozšírení ponuky: pripravuje aj 32 GB čip v konfigurácii 8-Hi a 64 GB čip v konfigurácii 16-Hi. Ponuka má čo najlepšie zodpovedať požiadavkám zákazníkov a podporiť ďalší dynamický vývoj akcelerátorov AI.

Jednotlivé pamäťové čipy sa vyrábajú najmodernejším výrobným procesom Samsungu triedy 10 nm s označením 1c, ktorý predstavuje už šiestu generáciu v rámci tejto triedy. Čipy uložené nad sebou sú pripojené k logickému čipu vyrábanému 4 nm procesom Samsung Foundry. Pokročilé technológie puzdrenia ich spájajú do jedného celku. Vďaka optimalizáciám sa v porovnaní s predchádzajúcou generáciou čipov HBM podarilo zvýšiť energetickú efektivitu o 16 % a znížiť tepelný odpor o viac než 14 %. Výsledkom je účinnejší odvod tepla a nižšia spotreba, čo výrazne pomôže pri prevádzke novej generácie dátových centier pre AI.

Otvorenie galérie

Samsung plánuje načasovať spustenie sériovej výroby čipov HBM4E podľa harmonogramov svojich zákazníkov, po dodaní vzoriek a vykonaní prípadných potrebných optimalizácií. Spoločnosť medzitým priebežne zvyšuje výrobu vrstvených pamätí HBM4, ktorých sériovú výrobu spustila vo februári, a podobný úspech plánuje aj pri HBM4E. Zákazníkom tým chce zabezpečiť stabilné dodávky čipov uprostred prebiehajúceho boomu AI.

Prihlásenie na odber noviniek

0 príspevkov

Pred napísaním komentára sa najprv prihláste sa!

K tomuto článku zatiaľ neboli pridané žiadne komentáre!

Pomôž ostatným, povedz, čo si myslíš o tomto článku.
Späť na začiatok stránky