Samsung predstavil aktualizovaný plán vývoja pamätí s viacerými zaujímavými míľnikmi, ktoré môžu výrazne posunúť vpred samotného výrobcu aj produkty jeho zákazníkov. Podľa plánov predstavených na podujatí SEMICON Taiwan 2026 chce v oblasti AI akcelerátorov držať krok s konkurenciou pomocou HBM5 a zHBM. Pri pamätiach NAND Flash by mu väčšie úspechy mohla priniesť technológia zNAND-O. Veľký dôraz pritom kladie aj na vývoj konvenčných čipov DRAM a NAND Flash.
HBM5, nástupca HBM4E, môže priniesť výrazné zrýchlenie. Podľa Samsungu ponúkne dvojnásobný výkon a zároveň o 20 % vyšší výkon na každý spotrebovaný watt. Tepelný odpor má oproti HBM4E klesnúť o 20 %. Dôležitým krokom vpred bude aj výrobný proces základného čipu: zatiaľ čo pri HBM4E a HBM4 sa vyrábal 4 nm technológiou, pri HBM5 už Samsung využije vlastný 2 nm výrobný proces.
Podľa plánov budú môcť jednotlivé pamäťové zostavy pozostávať z 12, 16 alebo 20 vrstiev čipov. Spustenie sériovej výroby prvých čipov sa predbežne plánuje na rok 2028. Naplno pokračuje aj vývoj HBM4E. Spoločnosť sa práve pripravuje na dodávky čipov s prenosovou rýchlosťou 16 Gbps, čo predstavuje výrazný posun oproti 11,7 Gbps pri HBM4 – v oboch prípadoch ide o prenosovú rýchlosť na jeden kontakt.
Popri HBM5 Samsung vyvíja aj vlastné riešenie zHBM, ktoré sa odkláňa od doterajšej koncepcie HBM. Vrstvené pamäťové zostavy totiž nebudú umiestnené bezprostredne vedľa čipu AI akcelerátora, ale priamo na ňom. Toto usporiadanie skráti dátové cesty, čím zníži latenciu a zároveň zvýši efektivitu aj výkon. Podľa plánov môže zHBM ponúknuť až osemnásobný hrubý výkon oproti čipom HBM4E, trojnásobný výkon na watt a o 75 až 90 % nižší tepelný odpor.
Spoločnosť sa o tomto riešení zmienila už skôr. Vtedy sa hovorilo o tom, že by túto špeciálnu pamäťovú architektúru mohla uviesť na trh približne v roku 2029. Samsung pritom nie je jediný, kto sa snaží prepracovať architektúru HBM a ponúknuť zákazníkom jej efektívnejšiu podobu. Nvidia v rámci riešenia NVHBM presúva pamäťové radiče z výpočtových čipov AI akcelerátora na základný čip vrstvenej pamäťovej zostavy HBM, čím systému prináša výrazné výhody vo viacerých oblastiach.
Samsung pracuje aj na pamätiach NAND Flash, pre ktoré pripravuje riešenie s názvom zNAND-O. To má ponúknuť desaťnásobnú hustotu uloženia dát oproti čipom DRAM a sedemnásobnú priepustnosť pri čítaní oproti pamäťovým čipom NAND Flash, pričom si zachová energetickú efektivitu typickú pre NAND Flash. Prvé vzorky by mohli vzniknúť v priebehu roka 2028 a až následne sa táto technológia môže dostať do konkrétnych produktov.
Vedenie spoločnosti popri nových produktoch predstavilo aj svoju filozofiu stelesnenú v rámci C.U.B.E. Pri vývoji a výrobe jednotlivých produktov chce klásť rovnaký dôraz na kapacitu, mieru využitia, priepustnosť a efektivitu. V rámci novej stratégie sa snaží zvyšovať kapacitu pamätí vertikálnym vrstvením. Využíva na to optimalizovanú 3D architektúru, ktorá zároveň dokáže znížiť latenciu, takže pamäte nemusia zaberať väčšiu plochu na doske plošných spojov. Horizontálne dátové spoje nahrádza vysokorýchlostnými vertikálnymi dátovými kanálmi a už na úrovni jednotlivých bitov dbá na energetickú efektivitu a riadenie tepla.
Nové produkty Samsungu sa dostanú na trh v priebehu nasledujúcich rokov. Spoločnosť sa pritom snaží úspešne konkurovať SK hynix a pozorne sleduje aj čínskych výrobcov pamätí, ktorí sa objavili ako „nová hrozba“. Ide tak o CXMT pôsobiacu na trhu DRAM, ako aj o YMTC, ktorá sa pripravuje dobyť trh pamätí NAND Flash.
