Samsung dosiahol mimoriadne dôležitý míľnik v segmente vrstvených pamätí HBM. Jeho najnovšie produkty založené na pamäťovom štandarde HBM4E úspešne prešli testami, ktoré potvrdili, že v plnej miere spĺňajú požiadavky Nvidie. Budú sa teda môcť použiť v novej generácii akcelerátorov AI s kódovým označením Rubin Ultra.
Ide o významný úspech a veľký krok vpred, pretože pri vrstvených pamätiach HBM3E sa takýto výsledok dosiahnuť nepodarilo. Tie nesplnili požiadavky Nvidie, a preto sa nemohli dostať do jej akcelerátorov AI. Pre Samsung to, samozrejme, znamenalo značné ušlé tržby. Počas boomu umelej inteligencie sa totiž pamäte HBM predávajú v obrovských množstvách, no čipy Samsung HBM3E si pre spomínaný neúspech nedokázali ukrojiť dostatočne veľký podiel z trhu. Nvidia napriek tomu juhokórejskému gigantovi prejavila dôveru v segmente pamäťových čipov GDDR7 a teraz už požiadavkám vyhovuje aj jeho ponuka HBM4E.
Pri novej generácii pamätí HBM patrí Samsung medzi lídrov trhu. Jeho vrstvené pamäte HBM4E s 2.048-bitovým rozhraním totiž dosahujú prenosovú rýchlosť 14 Gb/s na jeden kontakt, pričom každý takýto čip komunikuje prostredníctvom 2.048 kontaktov. Pri rýchlosti 14 Gb/s dokáže jediná vrstvená pamäť HBM4E ponúknuť pamäťovú priepustnosť 3,6 TB/s. Pri variantoch s rýchlosťou 16 Gb/s sa táto hodnota vyšplhá až na 4 TB/s. Jeden akcelerátor AI môže obsahovať až tucet takýchto vrstvených pamätí, čo umožňuje dosiahnuť mimoriadne vysokú pamäťovú priepustnosť.
Samsung v súčasnosti ponúka pamäte HBM4E v konfigurácii 12-Hi, teda s 12 vrstvami čipov DRAM, ktoré poskytujú kapacitu 48 GB na jednu vrstvenú pamäť. Podľa dopytu na trhu neskôr pribudnú aj riešenia s konfiguráciami 8-Hi a 16 Hi, ktoré ponúknu kapacitu 32 GB, respektíve 64 GB.
V roku 2026 by sa mohla mesačne spúšťať výroba približne 20.000 kremíkových waferov určených pre vrstvené pamäte HBM4E. V priebehu roka 2027 by ich počet mohol dosiahnuť až 50.000 mesačne, čo by znamenalo výrazný nárast výrobnej kapacity, pokiaľ všetko pôjde podľa plánu. Pod čipmi DRAM musí byť, samozrejme, aj základný čip, ktorý by sa mohol vyrábať procesom Samsung SF4 zo 4 nm triedy. Podľa správ má na výrobu základných čipov pre vrstvené pamäte HBM4E pripadnúť približne polovica celkovej výrobnej kapacity procesu SF4. To naznačuje, že Samsung očakáva veľký dopyt po klasických pamätiach HBM4E aj po riešeniach HBM4E so základnými čipmi navrhnutými na mieru.
