Samsung na konferencii Hot Chips 2026 predstavil zaujímavú novinku, ktorá môže výrazne pomôcť akcelerátorom AI. Ide o špeciálnu vrstvenú pamäť HBM4E pracujúcu na vyššej frekvencii než súčasné riešenia. Vďaka tomu dokáže podstatne zvýšiť efektívnu pamäťovú priepustnosť, a tým aj celkový výkon akcelerátora AI.
Za novinkou stoja inžinieri divízie Samsung Semiconductor, ktorí pri tejto vrstvenej pamäti HBM4E použili čipy DRAM vyrábané šiestou generáciou výrobného procesu Samsungu triedy 10 nm. Pod navrstvenými čipmi sa nachádza špeciálny základný čip, ktorý už vzniká výrobným procesom Samsungu triedy 4 nm s kódovým označením SF4. Zákazníci si tento základný čip môžu na požiadanie objednať aj s komponentmi poskytujúcimi funkcie na mieru. Tie umožňujú predspracovať dáta podľa rôznych kritérií na ďalšie využitie, čím odľahčia akcelerátor AI a môžu ďalej zvýšiť jeho výkon.
Význam novinky spočíva najmä v prenosovej rýchlosti na jeden kontakt. Vrstvené pamäte HBM4, ktoré sa už vyrábajú, dosahujú 11,7 Gb/s, zatiaľ čo pri skôr oznámených pamätiach HBM4E, dodávaných od konca mája, je to už 14 Gb/s. Najnovšie riešenie však umožňuje dosiahnuť až 16 Gb/s. Výkon vrstvených pamätí tak napreduje veľmi sľubne, z čoho môžu v budúcnosti výrazne ťažiť výrobcovia akcelerátorov AI aj vývojári AI.
Pri aktuálne dodávaných vrstvených pamätiach HBM4E umožňuje prenosová rýchlosť 14 Gb/s na jeden kontakt v spojení s 2.048-bitovou pamäťovou zbernicou dosiahnuť pamäťovú priepustnosť 3,6 TB/s. Novinka s rýchlosťou 16 Gb/s ju posúva na 4 TB/s. To je pritom výkon jedinej vrstvenej pamäte. Na jednom akcelerátore AI ich môže byť približne tucet, takže zvýšenie priepustnosti o 400 MB/s na čip sa rýchlo prejaví výrazným celkovým zrýchlením. Samotná pamäť pozostáva z 12 vrstiev čipov, teda má vyhotovenie 12-Hi, a ponúka celkovú kapacitu 48 GB. Neskôr pribudnú aj varianty 8-Hi a 16-Hi, ktoré spoločnosť musí zaradiť do ponuky vzhľadom na dopyt zákazníkov. Model 8-Hi bude mať kapacitu 16 GB, zatiaľ čo variant 16-Hi ponúkne 64 GB.
