Micron by už v roku 2027 mohol vyrábať čipy NAND Flash s viac než 400 vrstvami pamäťových buniek

Podobne ako čínska spoločnosť YMTC už ani Micron nezvyšuje hustotu pamäťových buniek iba pozdĺž osi Z. Vďaka technológii hybridného spájania rozširuje čipy aj do strán, pozdĺž osí X a Y.
J.o.k.e.r
J.o.k.e.r
28. 10. 2026, 8:46
Micron by už v roku 2027 mohol vyrábať čipy NAND Flash s viac než 400 vrstvami pamäťových buniek

Micron pripravuje uvedenie novej generácie pamäťových čipov NAND Flash, ktorá prinesie výrazný pokrok vo viacerých oblastiach. Čip G11 má oproti súčasnému modelu zdvojnásobiť hustotu uloženia dát, ponúknuť o 50 % vyšší výkon rozhrania I/O a zároveň znížiť spotrebu energie.

Otvorenie galérie

Nový čip využíva technológiu XStacking 4.0, ktorú vyvinula čínska spoločnosť YMTC. Pomocou hybridného spájania spája dva kremíkové čipy do jedného celku, pričom trvalé spojenie zabezpečujú kovové kontaktné plôšky. Oproti predchádzajúcim technológiám ide o významný posun. Tie sa sústreďovali na zvyšovanie počtu vrstiev pamäťových buniek, kým nový čip sa rozširuje nielen nahor, pozdĺž osi Z, ale aj do strán, pozdĺž osí X a Y.

Koncepcia Micronu spočíva v rozdelení jednotlivých častí klasického čipu NAND Flash medzi samostatné kremíkové čipy, ktoré sa následne spoja pomocou technológie hybridného spájania. Pamäťové bunky a periférne logické obvody sa tak dajú optimalizovať nezávisle od seba. To prináša veľkú flexibilitu a zároveň umožňuje zvyšovať výkon aj úložnú kapacitu.

Vďaka novej technológii by jednotlivé pamäťové čipy NAND Flash generácie G11 mohli obsahovať aj viac než 400 vrstiev pamäťových buniek. Micron presný počet nezverejnil. Zatiaľ je isté iba to, že podrobné parametre odhalí až v priebehu roka 2027. Veľkoobjemová výroba by sa mohla rozbehnúť v druhej polovici roka 2027.

Otvorenie galérie

Spoločnosť však prezradila, že vývoj novej generácie si vyžiadal prelom vo vývoji materiálov s vysokou pohyblivosťou nosičov náboja. Zároveň bolo potrebné vytvoriť mimoriadne husté štruktúry pamäťových buniek a zlepšiť energetickú účinnosť dátových ciest aj jednotlivých komponentov. Čip G11 má zdvojnásobiť hustotu uloženia dát z 21 Gb/mm² pri generácii G9 na 42 Gb/mm². Výrazne vzrastie aj výkon rozhrania I/O, ktorého prenosová rýchlosť stúpne z 3.600 MT/s na 5.400 MT/s. Výrazné zlepšenie sa očakáva aj pri energetickej účinnosti: energia potrebná na prenos jedného bitu by mohla byť oproti súčasnej generácii o 25 % nižšia.

Prenosová rýchlosť SSD vybavených novými pamäťovými čipmi bude do veľkej miery závisieť od použitého radiča SSD. Rozhodujúci bude aj počet kanálov NAND Flash, ktoré bude môcť daný návrh využívať. Podrobnejšie informácie prídu neskôr a úplný obraz prinesú až prvé nezávislé testy, keď sa na trhu objavia prvé SSD a karty založené na čipoch G11.

Prihlásenie na odber noviniek

0 príspevkov

Pred napísaním komentára sa najprv prihláste sa!

K tomuto článku zatiaľ neboli pridané žiadne komentáre!

Pomôž ostatným, povedz, čo si myslíš o tomto článku.
Späť na začiatok stránky