Inžinieri Intelu pracujú na novom type pamäte, ktorý by mohol priniesť obrovský posun v pamäťovej priepustnosti akcelerátorov AI. Kapacitou síce zatiaľ zaostáva, no aj tak vyzerá veľmi sľubne. Na vývoji sa podieľa aj Sainmemory, dcérska spoločnosť SoftBank, ktorá Intelu pomáha vytvoriť v podobe HB3DM dostatočne silného konkurenta pre štandard HBM (High-Bandwidth Memory).
Všetky podrobnosti o novom type pamäte mali byť odhalené na podujatí VLSI 2026, naplánovanom na jún. Už teraz je však k dispozícii množstvo informácií, podľa ktorých by do segmentu vrstvených pamäťových čipov pre akcelerátory AI mohol pribudnúť silný hráč. O vývoji nedávno informoval Dr. Ian Cutress, kvalita snímok prezentácie však zatiaľ nie je najlepšia.
HB3DM podobne ako HBM vrství pamäťové čipy na seba, využíva však technológiu Z-Angle Memory. Tá sa podobá riešeniu používanému pri HBM a umožňuje ukladať pamäťové čipy na seba pozdĺž osi Z. Popri Z-Angle Memory zohráva vo výrobe dôležitú úlohu aj niekoľko ďalších pokročilých technológií, napríklad Hybrid Bonding, ktorý umožňuje spájanie čipov do vrstiev.
V súčasnom návrhu tvorí jeden pamäťový stoh celkovo 9 vrstiev čipov, ktoré prepája približne 13.700 TSV, teda zvislých vodivých prepojení. Základná vrstva obsahuje logické obvody pomáhajúce riadiť presuny dát v čipe. Nad ňou sa nachádza osem vrstiev DRAM, ktoré slúžia na dočasné ukladanie dát.
V súčasnej fáze vývoja dosahuje HB3DM kapacitu približne 1,125 GB na vrstvu, čo pri jednom pamäťovom stohu predstavuje celkovú kapacitu 10 GB. Čip s plochou 171 štvorcových milimetrov dosahuje pamäťovú priepustnosť 0,25 Tb/s na štvorcový milimeter. Jeden pamäťový stoh tak dokáže poskytnúť priepustnosť približne 5,3 TB/s, čo je obrovský posun oproti najpokročilejšej verzii HBM. V prípade HBM4 môže jeden pamäťový stoh pracovať s priepustnosťou približne 2 TB/s, takže HB3DM má oproti HBM4 výrazný náskok.
Z hľadiska pamäťovej priepustnosti má teda HB3DM výrazne navrch, kapacitou však vedie HBM4: kým prvá technológia ponúka 10 GB na jeden pamäťový stoh, druhá môže dosiahnuť až 48 GB. HB3DM sa, samozrejme, môže v tomto smere zlepšiť. Zvýšenie hustoty pamäte na jednom čipe aj počtu pamäťových vrstiev by umožnilo zväčšiť celkovú kapacitu. V pamäťovej priepustnosti však už teraz jednoznačne víťazí nová technológia vyvinutá Intelom a spoločnosťou Sainmemory.
Zatiaľ nepadla zmienka o tom, kedy presne by sa mohli objaviť prvé čipy nového typu pamäte. Nie je známe ani to, ktorá spoločnosť bude vyrábať čipy DRAM tvoriace jej základ. Keďže Intel má určité skúsenosti s výrobou pamäťových čipov, nie je vylúčené, že si bude čipy DRAM vyrábať sám. Ktorý výrobný proces by na to použil, sa však dozvieme až neskôr.
