ČÍNSKA CXMT DOSIAHLA OBROVSKÝ PRELOM: SPUSTILA SKÚŠOBNÚ VÝROBU VRSTVENÝCH PAMÄTÍ HBM3E

Pamäte HBM3E vyrábané v Číne sú mimoriadne dôležité pre efektívne zásobovanie tamojších vývojárov a výrobcov AI akcelerátorov bez závislosti od západných dodávateľov. Číne môžu otvoriť nové možnosti.
J.o.k.e.r
J.o.k.e.r
3. 9. 2026, 10:37
Čínska CXMT dosiahla obrovský prelom: spustila skúšobnú výrobu vrstvených pamätí HBM3E

CXMT, najväčší a najúspešnejší čínsky výrobca pamätí DRAM, dosiahla podľa zdrojov portálu The Information z odvetvia významný míľnik. Ak všetko pôjde podľa plánu, Čína vďaka nemu dokáže v segmente AI akcelerátorov ešte viac obmedziť závislosť od zahraničných výrobcov a technológií a nahradiť ich pamäťami vyvinutými a vyrobenými vo vlastnej réžii. Podľa dostupných informácií mohla CXMT nedávno spustiť skúšobnú výrobu vrstvených pamätí štandardu HBM3E. V čase, keď sa poprední výrobcovia pripravujú na uvedenie HBM4E, to síce nemusí pôsobiť mimoriadne impozantne, no ide o obrovský úspech, na ktorom možno v budúcnosti stavať nové stratégie.

Zaostávanie približne o dve generácie preto nie je tragické, najmä ak spoločnosť opäť spustí hromadnú výrobu čipov tak rýchlo, ako sa jej to v minulosti podarilo pri iných pamäťových technológiách. Presné parametre vrstvených pamätí HBM3E v skúšobnej výrobe zatiaľ, žiaľ, neboli zverejnené. Požiadavky štandardu JEDEC však naznačujú, o aké produkty by mohlo ísť. HBM3E stále využíva 1 024-bitovú pamäťovú zbernicu a prenosová rýchlosť na jeden kontakt jednotlivých čipov môže dosahovať 9,2 až 12,4 Gb/s. Ideálnou voľbou by mohlo byť 9,6 Gb/s.

Tieto pamäte môžu pozostávať z 8 alebo 12 pamäťových čipov, teda využívať usporiadanie 8-Hi alebo 12-Hi. Tomu zodpovedá kapacita 24 GB alebo 36 GB a priepustnosť až 1,2 TB/s na jednu vrstvenú pamäťovú zostavu. Prvé riešenia CXMT sa pravdepodobne budú pohybovať pri spodnej hranici špecifikácie HBM3E. Ich hromadná výroba sa však môže rozbehnúť pomerne skoro, ak medzi skúšobnou a sériovou výrobou opäť uplynie len niekoľko týždňov. O výťažnosti výroby zatiaľ nie sú žiadne informácie, no neskôr sa môžu objaviť aj tie.

Open gallery

Spoločnosť pritom na pamäťovom trhu expanduje veľmi agresívne. Kým na Západe trvá výstavba čistých priestorov na výrobu polovodičov bežne 24 mesiacov, CXMT ju dokáže zvládnuť už za 12 mesiacov a pomerne rýchlo ich aj vybaví. V súčasnosti má dva veľké závody, ktoré spracúvajú 12-palcové kremíkové doštičky. Spolu dokážu každý mesiac začať spracovanie 200 000 doštičiek. Podľa skorších plánov sa má mesačná výrobná kapacita do konca roka 2026 zvýšiť na 350 000 doštičiek. CXMT by tak mohla dosiahnuť či dokonca prekonať úroveň Micronu, čo by bol veľký úspech, ak sa jej tento cieľ podarí splniť. Z dlhodobého hľadiska chce vybudovať ešte rozsiahlejšiu sieť závodov, ktorá by mesačne dokázala začať spracovanie 600 000 kremíkových doštičiek.

Rozširovanie výrobných kapacít bude potrebné, pretože vrstvené pamäte HBM obsahujú viacero čipov DRAM. Na výrobu dostatočného množstva týchto pamätí je preto nevyhnutné zvýšiť aj produkciu samotných čipov. Zároveň to znamená, že napriek rastúcej výrobe nemusí na spotrebiteľský trh smerovať viac čipov DRAM. Veľká časť nových kapacít totiž môže pripadnúť na výnosnejšiu výrobu HBM, čo by mohlo viesť k ďalšiemu rastu cien pamätí. Ak dostane výroba HBM príliš veľkú prioritu, situácia sa môže ešte zhoršiť.

Spustenie skúšobnej výroby HBM3E má obrovský význam. Ak sa tieto vrstvené pamäte podarí vyrábať v dostatočnej kvalite a množstve, čínsky priemysel AI akcelerátorov získa prístup k pamätiam s vysokou priepustnosťou bez toho, aby sa musel spoliehať na západných dodávateľov.

Prihlásenie na odber noviniek

0 príspevkov

Pred napísaním komentára sa najprv prihláste sa!

K tomuto článku zatiaľ neboli pridané žiadne komentáre!

Pomôž ostatným, povedz, čo si myslíš o tomto článku.
Späť na začiatok stránky